核心提示：IGBT模塊半導體清洗劑廠,國內(nèi)的23家IGBT企業(yè)統(tǒng)計,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) 是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，與MOSFET(絕緣柵型場效應管)結構功能相似，可控制的電壓范圍更高,歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT模塊。
今天小編為大家?guī)硪黄P于IGBT模塊半導體清洗劑廠,國內(nèi)的23家IGBT企業(yè)統(tǒng)計介紹~
什么是IGBT？
一、定義:
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) 是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，與MOSFET(絕緣柵型場效應管)結構功能相似，可控制的電壓范圍更高。
半導體產(chǎn)業(yè) 分成四種類型:集成電路，分立器件，傳感器和光電子，其中IGBT屬于分立器件的一種。
二、特點:
IGBT可以被認為是一個MOSFET和一個BJT(雙極型極管)混合形成的器件，但相比于MOSFET制造難度更高、結構更復雜，可承受的電壓也更大。一般 MOSFET 器件或模組的可承受電壓范圍為 20-800V，而IGBT 可承受1000V以上的高電壓，因而是電力電子領域較為理想的開關器件。
三、主要功能:
IGBT通過脈寬調(diào)制，可以把輸入的直流電變成我所需要頻率的交流電，或者反過來。主要用于變頻逆變和其他逆變電路，被稱為是電力電子裝置的“CPU”。
四、主要產(chǎn)品形式:
模組和分立器件兩種形式，一般通俗的說IGBT指模組，IGBT模塊是由IGBT分立器件與快恢復二極管芯片通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品。
五、接下來為大家盤點一下國內(nèi)的IGBT企業(yè)：
注：名單排名不分先后，不完全統(tǒng)計。1.比亞迪半導體 成立時間：2003年業(yè)務模式：IDM業(yè)務模式：IDM簡介：比亞迪半導體股份有限公司是國內(nèi)領/先的IDM企業(yè)，主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體，半導體制造及服務，覆蓋了對光、電、磁等信號的感應、處理及控制， 產(chǎn)品廣泛應用于汽車、能源、工業(yè)和消費電子等領域，具有廣闊的市場前景。比亞迪半導體2007 年建立 IGBT 模塊生產(chǎn)線，2009年完成首款車規(guī)級IGBT芯片開發(fā)，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產(chǎn)品。2018 年底發(fā)布其自研車規(guī)級IGBT 4.0 技術。
2.中車時代電氣
成立時間：2005年業(yè)務模式：IDM簡介：株洲中車時代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè)，公司是我國一家全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術的廠家，國內(nèi)自主掌握了高鐵動力 IGBT 芯片及模塊技術的企業(yè)。
3.士蘭微
成立時間：1997年業(yè)務模式：IDM簡介：杭州士蘭微電子股份有限公司是專業(yè)從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術企業(yè)。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州。士蘭微電子建在杭州錢塘新區(qū)的集成電路芯片生產(chǎn)線目前實際月產(chǎn)出達到22萬片，在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。公司8英寸生產(chǎn)線于2015年開工建設，2017年投產(chǎn)，成為國內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的IDM產(chǎn)品公司，2020年實際月產(chǎn)能達到5～6萬片。2018年，公司12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線及先進化合物半導體器件生產(chǎn)線在廈門開工建設。2020年，士蘭化合物半導體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，士蘭12英寸芯片生產(chǎn)線開始試產(chǎn)。
公司目前的產(chǎn)品和研發(fā)投入主要集中在以下三個領域：
?基于士蘭芯片生產(chǎn)線高壓、高功率、特殊工藝的集成電路、功率模塊(IPM/PIM)、功率器件及（各類MCU/專用IC組成的）功率半導體方案
?MEMS傳感器產(chǎn)品、數(shù)字音視頻和智能語音產(chǎn)品、通用ASIC電路?光電產(chǎn)品及LED芯片制造和封裝（含內(nèi)外彩屏和LED照明）4.華潤微 成立時間：1997年
業(yè)務模式：IDM簡介：公司產(chǎn)品聚焦于功率半導體、智能傳感器領域，為客戶提供系列化的半導體產(chǎn)品與服務。5.揚杰科技 成立時間：2006年業(yè)務模式：IDM簡介：揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內(nèi)少數(shù)集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、整流器件、保護器件、小信號、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。于2018年3月控股一條宜興 6 英寸生產(chǎn)線，目前已開始量產(chǎn)用于電磁爐等小家電的 IGBT 芯片；2018 年公司 IGBT芯片實際產(chǎn)出近 6000 片。
6.華微電子
成立時間：1999年業(yè)務模式：IDM簡介：公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年500萬片，封裝資源為每年24億只，模塊每年1800萬塊。公司主要生產(chǎn)功率半導體器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品，產(chǎn)品種類基本覆蓋功率半導體器件全部范圍，廣泛應用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領域，并不斷在新能源汽車、光伏、變頻等戰(zhàn)略性新興領域快速拓展。2019年4月公司募投8英寸生產(chǎn)線項目，重點用于工業(yè)傳動、消費電子等領域 IGBT芯片的生產(chǎn)。7.斯達半導
成立時間：2005年業(yè)務模式：模組簡介：嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務的國 家 級 高新技術企業(yè)，公司總部位于浙江嘉興，在上海和歐洲均設有子公司，并在國內(nèi)和歐洲設有研發(fā)中心，是目前國內(nèi)IGBT領域的領軍企業(yè)。公司主要產(chǎn)品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發(fā)出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現(xiàn)了進口替代。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。產(chǎn)品已被成功應用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發(fā)電、SVG、白色家電等領域。根據(jù)2020年國際著名研究及咨詢機構IHSz新研究報告，嘉興斯達半導體股份有限公司在全球IGBT模塊市場排名第七，是一家進入全球前十的中國企業(yè)。
8.南京銀茂微
成立時間：2007年業(yè)務模式：模組簡介：南京銀茂微電子專注于工業(yè)和其他應用的功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品的設計和制造。通過采用現(xiàn)代化的設備來處理和表征高達3.3kV的電源模塊，建立了先進的電源模塊制造能力。自2009年以來，已通過ISO9001和ISO14001認證，并且大多數(shù)產(chǎn)品還通過了UL認證。能夠執(zhí)行電源模塊鑒定測試，例如室內(nèi)電氣和環(huán)境壽命測試。于2016年獲得TS16949認證。
9.達新半導體
成立時間：2013年業(yè)務模式：模組簡介：寧波達新半導體有限公司是由海歸博士創(chuàng)立的一家中外合資的國 家 級高新技術企業(yè)，公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件的設計、制造和銷售，并提供相關的應用解決方案。公司總部位于浙江省余姚市，建有國內(nèi)領/先的測試應用評估中心，中心包括芯片評估、器件測試、應用分析及可靠性等實驗室。公司建有一條制造手段先進IGBT模塊產(chǎn)線，在上海有芯片設計中心，負責芯片設計和制造管理。公司具備芯片設計、晶圓制造、模塊制造及應用的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，在IGBT芯片開發(fā)，模塊制造和產(chǎn)品應用具有自己獨特優(yōu)勢。公司在8寸及6寸晶圓制造平臺成功開發(fā)600V-3300V IGBT芯片產(chǎn)品，芯片電流等級涵蓋10A～200A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的滿足工業(yè)應用、消費電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產(chǎn)品可廣泛應用于白色家電、逆變焊機、工業(yè)變頻、感應加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車、太陽能/風力發(fā)電、SVG等領域。
10.江蘇宏微
成立時間：2006年業(yè)務模式：模組簡介：江蘇宏微科技股份有限公司是由一批長期在國內(nèi)外從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)，具有多種專項技術的科技人員組建的國家重點高新技術企業(yè)。是國家高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程基地，國家IGBT和FRED標準起草單位。業(yè)務范圍包括：1、設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊(CSPM)；2、高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設計、制造及系統(tǒng)的解決方案，如動態(tài)節(jié)能照明電源、開關電源、UPS、逆變及變頻裝置等。
11.廣東芯聚能
成立時間：2018年業(yè)務模式：模組簡介：廣東芯聚能是一家車規(guī)級功率半導體元器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術企業(yè)。主營業(yè)務包括：面向新能源電動汽車（EV、HEV）主驅動器的核心功率半導體芯片設計、器件與模塊產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與服務支持。同時也提供工業(yè)、民用級功率半導體相關產(chǎn)品，可廣泛應用于變頻家電、工業(yè)變頻器、光伏發(fā)電、智能電源裝備等領域。
12.中芯紹興
成立時間：2018年業(yè)務模式：制造簡介：紹興中芯集成電路制造股份有限公司(中芯紹興，SME C)成立于2018年3月, 總部位于浙江紹興，是一家專注于功率, 傳感和傳輸應用領域，提供特色工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工服務的制造商。技術上，立足于場截止型（Field Stop）IGBT結構，采用業(yè)界先進的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝。600V~1200V等器件工藝均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。中芯紹興自成立以來，聚焦在人工智能、移動通信、車載、工控等領域，通過構建持續(xù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力，努力實現(xiàn)在微機電系統(tǒng)和功率器件制造工藝方面，達到國際一流水平的目標。
13.華虹宏力
成立時間：2003年業(yè)務模式：制造簡介：自建設中國大陸第一條8英寸集成電路生產(chǎn)線起步，目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產(chǎn)線（華虹一、二及三廠），月產(chǎn)能約18萬片。華虹宏力工藝技術覆蓋1微米至90納米各節(jié)點，其嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺在全球業(yè)界極/具競爭力，并擁有多年成功量產(chǎn)汽車電子芯片的經(jīng)驗。
14.深圳方正微
成立時間：2003年業(yè)務模式：制造簡介：深圳方正微電子有限公司(簡稱“方正微電子”)成立于2003年12月。是一家從事集成電路芯片制造的國家高新技術企業(yè)。公司致力于電源管理芯片和新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)聚焦智能手機、平板電腦、變頻家電、LED照明以及新能源汽車等新興領域對功率半導體的市場需求，秉持晶圓代工經(jīng)營模式，專注于為客戶提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領域的晶圓制造技術。方正微電子是國內(nèi)首/家實現(xiàn)6英寸碳化硅器件制造的廠商，其開發(fā)的13個系列的碳化硅產(chǎn)品已進入商業(yè)化應用，性能達到國際先進水平。另外,公司成功開發(fā)出使用6英寸硅基氮化鎵材料制備的HEMT和SBD器件，耐壓超過1200V，性能居國內(nèi)領/先水平。
15.上海先進
成立時間：1988年業(yè)務模式：制造簡介：上海先進半導體制造有限公司（簡稱“上海先進”），于1988年由中荷合資成立為上海飛利浦半導體公司，1995年易名為上海先進半導體制造有限公司，2004年改制為上海先進半導體制造股份有限公司，2019年被上海積塔半導體有限公司吸收合并，改制為上海先進半導體制造有限公司。上海先進位于上海市徐匯區(qū)漕河涇新興技術開發(fā)區(qū)，是一家大規(guī)模集成電路芯片制造公司。目前，公司有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線，專注于模擬電路、功率器件的制造，8英寸等值晶圓年產(chǎn)能66.4萬片
16.華潤上華
業(yè)務模式：制造簡介：隸屬于華潤微電子，華潤上華擁有兩條六英寸代工線和一條八英寸代工線，其六英寸生產(chǎn)線是國內(nèi)首/家開放式晶圓代工廠。以產(chǎn)能計為目前國內(nèi)z大的六英寸代工企業(yè)，月產(chǎn)能逾21萬片，工藝線寬在0.5微米以上；八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達6.5萬片。17.深圳芯能
成立時間：2013年業(yè)務模式：設計簡介：深圳芯能半導體技術有限公司(Xiner 芯能半導體)成立于2013年，致力于IGBT芯片、IGBT驅動芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應用和銷售。主要人員都有十多年的行業(yè)積累，在國內(nèi)率先成功量產(chǎn)基于FST工藝的IGBT產(chǎn)品。目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產(chǎn)品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個領域都有完善的產(chǎn)品序列，產(chǎn)品性能國內(nèi)領/先。產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)變頻器、伺服驅動器、變頻家電、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機等領域；針對中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案：650V/450A和1200V/450A E conoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均得到終端客戶的一致認可。芯能是國內(nèi)一家同時具備IGBT芯片、IGBT驅動芯片以及大功率智能功率模塊設計能力的公司。
18.上海陸芯
成立時間：2015年業(yè)務模式：設計簡介：上海陸芯電子科技有限公司是一家專注于z新一代功率半導體器件的高科技公司。公司經(jīng)過不斷努力，成功通過 ISO9001：2015質(zhì)量管理體系認證，擁有自主知識產(chǎn)權和品牌。陸芯公司目前累計擁有17項自主創(chuàng)新專利。陸芯科技具有強勁的工藝開發(fā)技術和設計能力，是國內(nèi)新一代功率半導體技術的領/航企業(yè)。陸芯科技功率半導體產(chǎn)品包括：z新一代Trench Field-Stop技術的400V 200A~400A系列IGBT、650V 10A~200A系列IGBT、1200V&1350V 15 A~100A系列IGBT；500V~900V系列SJMOS、650V&1200V系列功率二極管；650V&1200V系列SiC二極管。陸芯科技的產(chǎn)品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術優(yōu)勢：通過優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實現(xiàn)IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業(yè)級和汽車級可靠性標準；通過控制少子壽命，優(yōu)化飽和壓降和開關速度；實現(xiàn)安全操作區(qū)（SOA）和短路電流安全操作區(qū)域SCSOA性能z優(yōu)；改善IGBT有源區(qū)元胞設計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應；調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。
19.中科君芯
成立時間：2011年業(yè)務模式：設計簡介：江蘇中科君芯科技有限公司是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。公司成立于2011年底，依托中 國 科 學 院的科研團隊和研發(fā)平臺，結合海內(nèi)外的技術精英以及專業(yè)的市場管理團隊共同組建而成。作為國內(nèi)業(yè)界的領軍者，君芯科技是國內(nèi)率先開發(fā)出溝槽柵場截止型（Trench FS）技術并真正實現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)。公司推出的IGBT芯片、單管和模塊產(chǎn)品從600V至6500V，覆蓋了目前主要電壓段及電流段，已批量應用于感應加熱、逆變焊機、工業(yè)變頻、新能源等領域，并得到客戶的廣泛認可。君芯科技獨/創(chuàng)的DCS技術將應用于z新的汽車級IGBT芯片中。
20.無錫新潔能
成立時間：2009年業(yè)務模式：設計簡介：無錫新潔能專業(yè)從事半導體功率器件的研發(fā)與銷售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術產(chǎn)品認定。
21.科達半導體
成立時間：2007年業(yè)務模式：設計簡介：科達半導體有限公司主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導體器件( 電力電子器件）的設計、生產(chǎn)和銷售。公司擁有國內(nèi)一流的設計研發(fā)團隊，所設計研發(fā)的IGBT及FRD產(chǎn)品國內(nèi)先進。公司擁有省級設計中心，省級功率半導體工程中心，并配有功能齊全的性能測試實驗室和可靠性實驗室。公司產(chǎn)品廣泛應用于電磁爐、小功率變頻器、逆變焊機、無刷馬達控制器、UPS、開關電源、液晶電視及顯示器、太陽能應用等領域。
22.西安芯派
成立時間：2008年業(yè)務模式：設計簡介：西安芯派電子科技有限公司(簡稱芯派科技)成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高新技術企業(yè)，產(chǎn)品包含：中大功率場效應管(MOSFET，低壓至高壓全系列產(chǎn)品)、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、二極管(含快速恢復二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等。
23.無錫紫光微
業(yè)務模式：設計簡介：無錫紫光微電子有限公司是由紫光同芯微電子有限公司投/資的一家高新技術企業(yè)，是一家專注于先進半導體功率器件和集成電路的設計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售的集成電路設計企業(yè)。公司的團隊是由一批在國內(nèi)外著名半導體公司工作多年的具有豐富產(chǎn)品設計、經(jīng)營管理經(jīng)驗的成員組成。公司開發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先進半導體功率器件以及相關的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應用于節(jié)能、綠色照明、風力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動力\電動汽車、儀器儀表、消費電子等領域。六、IGBT模塊清洗
為應對能源危機和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應用，促進了大功率電力電子變流裝置的廣泛應用。大功率變流裝置的可靠性對這些應用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關。
目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。
合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。
歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT模塊。
以上便是IGBT模塊清洗劑廠,國內(nèi)的23家IGBT企業(yè)統(tǒng)計介紹，希望可以幫到您！
